Die US-Handelsaufsicht International Trade Commission habe in einer vorläufigen Entscheidung festgestellt, dass Innoscience ein Patent für zukunftsträchtige Galliumnitrid-Chips (GaN) verletze, teilte Infineon am Mittwoch mit. Die beiden von Infineon in dem Verfahren vorgebrachten Patente seien rechtsgültig. Das endgültige Votum der Behörde wird für den 2. April erwartet. Sollte darin die erste Einschätzung bestätigt werden, dürfe Innoscience seine GaN-Produkte nicht mehr in die USA einführen.
Für Infineon ist es ein weiterer Etappensieg im Patentstreit mit Innoscience. Erst im August 2025 hatte das Landgericht München I in erster Instanz festgestellt, dass Innoscience unerlaubt GaN-Produkte einführt, auf die Infineon ein Patent hält. Innoscience darf nach dem Urteil die betreffenden Produkte in Deutschland nicht mehr bauen und verkaufen und muss Schadenersatz zahlen. Computerchips aus GaN sind unter anderem bei Elektroautobauern gefragt, weil damit kleinere und leichtere Ladegeräte gebaut werden können als mit herkömmlichen Silizium-Halbleitern. Aber auch in Rechenzentren oder anderen Energiesystemen kommen die Halbleiter zum Einsatz.
Infineon hat nach eigenen Angaben rund 450 GaN-Patentfamilien. 2023 hatte das deutsche Unternehmen für 830 Millionen Dollar die kanadische GaN Systems übernommen, um das Geschäft zu stärken. Auch Innoscience produziert solche Leistungshalbleiter. Die Firma ist nach eigenen Angaben der weltgrösste Anbieter von GaN-Wafern, aus denen die Chips hergestellt werden.
(Reuters)
